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3月22日“创源”大讲堂:碳化硅功率半导体器件发展现状与关键技术挑战

2023年03月17日 09:16 点击数:

报告题目:碳化硅功率半导体器件发展现状与关键技术挑战

报告人:邓小川,电子科技大学/功率集成技术实验室,教授/博导,英国华威大学访问学者

主持人:刘东,西南交通大学bv1946伟德手机版副教授

时间:2023322日(星期三)下午1600

地点:犀浦校区10号教学楼(X10832教室)

 

内容简介:

“绿色、低碳、轻量化”的第三代半导体碳化硅功率器件是实现国家“碳达峰,碳中和”双碳战略的关键核心电力电子器件,推动着以电动汽车、高速机车、智能电网、卫星等新兴能源与航空航天领域的持续创新发展。本报告从碳化硅材料基本物理特性出发,重点介绍了碳化硅功率器件在节能减排中的应用前景、技术发展现状以及国内外最新研究成果,较系统探讨了现阶段碳化硅功率器件技术面临的关键技术挑战,并对其未来发展趋势进行了总结。

主讲人简介:

1-1邓小川,电子科技大学/功率集成技术实验室,教授/博导,英国华威大学访问学者。一直从事第三代半导体碳化硅功率器件的理论模型、新结构、器件研制与可靠性评估等研究,承担和参与了多项国家级和省部级科研项目,多个国际学术会议的TPC成员,在半导体功率器件国际TOP期刊IEEE Trans. Power ElectronicsIEEE Electron Device LetterIEEE Trans. Industrial Electronics以及本领域顶级国际会议ISPSDICSCRM等发表学术论文90余篇,授权中国发明专利近20余项。

请相互转告,欢迎全校师生参加。

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