3月22日“创源”大讲堂：碳化硅功率半导体器件发展现状与关键技术挑战
2023年03月17日 09:16
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报告题目：碳化硅功率半导体器件发展现状与关键技术挑战
报告人：邓小川，电子科技大学/功率集成技术实验室，教授/博导，英国华威大学访问学者
主持人：刘东，西南交通大学bv1946伟德手机版副教授
时间：2023年3月22日（星期三）下午16：00
地点：犀浦校区10号教学楼（X10832教室）
内容简介：
“绿色、低碳、轻量化”的第三代半导体碳化硅功率器件是实现国家“碳达峰，碳中和”双碳战略的关键核心电力电子器件，推动着以电动汽车、高速机车、智能电网、卫星等新兴能源与航空航天领域的持续创新发展。本报告从碳化硅材料基本物理特性出发，重点介绍了碳化硅功率器件在节能减排中的应用前景、技术发展现状以及国内外最新研究成果，较系统探讨了现阶段碳化硅功率器件技术面临的关键技术挑战，并对其未来发展趋势进行了总结。
主讲人简介：
邓小川，电子科技大学/功率集成技术实验室，教授/博导，英国华威大学访问学者。一直从事第三代半导体碳化硅功率器件的理论模型、新结构、器件研制与可靠性评估等研究，承担和参与了多项国家级和省部级科研项目，多个国际学术会议的TPC成员，在半导体功率器件国际TOP期刊IEEE Trans. Power Electronics、IEEE Electron Device Letter、IEEE Trans. Industrial Electronics以及本领域顶级国际会议ISPSD、ICSCRM等发表学术论文90余篇，授权中国发明专利近20余项。
请相互转告，欢迎全校师生参加。
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2023年3月17日
